Samsung telah meluncurkan NAND vertikal kepadatan tinggi (V-NAND) baru.
Raksasa teknologi Korea Selatan tersebut mengatakan pada hari Selasa bahwa mereka akan memulai produksi massal V-NAND generasi kesembilan bulan ini yang akan “menciptakan solid-state drive (SSD) yang terdepan di pasar dan berkinerja tinggi yang memenuhi kebutuhan masa depan. generasi AI yang akan datang,”
Sel V-NAND 1-Terabit (Tb) triple-layer (TLC) memiliki kepadatan minimum hingga 50% dibandingkan generasi kedelapan yang diluncurkan pada tahun 2022. Hal ini dimungkinkan karena chip dibuat dengan sangat baik. ukuran sel dan cetakan tertipis hingga saat ini, kata Samsung.
Ia juga memiliki struktur dua dimensi, di mana terdapat dua sel bertumpuk, bukan satu. Samsung mengatakan pihaknya menerapkan pengetsaan saluran pada paket-paket ini, di mana lubang dibor ke dalam sel lapis demi lapis untuk menciptakan jalur bagi elektron, yang akan lebih sulit jika terdapat lebih banyak lapisan.
Perusahaan mengatakan mereka juga menghilangkan lubang tiruan untuk mengurangi ruang sel dan menggunakan teknologi untuk mengurangi gangguan sel dan meningkatkan umur sel.
V-NAND generasi kesembilan juga menggunakan versi terbaru NAND Toggle 5.1, yang memungkinkannya memiliki kecepatan input/output hingga 3,2Gbps, meningkat 33% dari pendahulunya, kata Samsung, sambil menggunakan daya juga terjadi. telah berkurang 10%.
Ini juga mendukung format PCIe 5.0, yang memiliki bandwidth PCIe 4.0 pada 32GT/s, yang menurut Samsung akan digunakan untuk memperkuat kepemimpinannya di pasar SSD kelas atas.
Meski model TLC sudah dibuat, Samsung akan mulai memproduksi quad-level cell (QLC), di mana sel tersebut dapat menyimpan 4 data, pada paruh kedua tahun ini.
